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MMUN2133LT1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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数量 単価 金額
1 14.00000 ¥14
10 12.80000 ¥128
100 5.34000 ¥534
500 4.18800 ¥2,094
1,000 2.91000 ¥2,910

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : MMUN2133LT1GOSTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 18,000 - 即時
  • 単価: ¥2.46800
  • Digi-Reel®  : MMUN2133LT1GOSDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 20,929 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®

MMUN2133LT1G

データシート
Digi-Key品番 MMUN2133LT1GOSCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 MMUN2133LT1G
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商品概要 TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 4週間
商品概要の詳細

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート MUNx133, MMUN2133L, DTA143Zxx, NSBA143ZF3
RoHS情報 Material Declaration MMUN2133LT1G
PCN設計/仕様 Gold to Copper Wire 14/Oct/2008
SOT23 16/Sep/2016
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Fab Site Add 2/Nov/2017
EDA/CADモデル MMUN2133LT1G by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
トランジスタタイプ PNP - プリバイアス
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
抵抗 - ベース(R1) 4.7 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2) 47 kOhms
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 80 @ 5mA、10V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic 250mV @ 300µA、10mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電力 - 最大 246mW
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
ベース部品番号 MMUN21**L
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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