JPY | USD
お気に入り

MBR2H200SFT1G ダイオード ショットキー 200V 2A 面実装 SOD-123FL
価格と調達
20,310 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 47.00000 ¥47
10 35.00000 ¥350
25 30.68000 ¥767
100 16.65000 ¥1,665
250 16.56800 ¥4,142
500 13.58800 ¥6,794
1,000 10.08100 ¥10,081

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : MBR2H200SFT1GOSTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 18,000 - 即時
  • 単価: ¥8.85333

MBR2H200SFT1G

データシート
Digi-Key品番 MBR2H200SFT1GOSCT-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 MBR2H200SFT1G
コピー  
商品概要 DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
コピー  
メーカーの標準リードタイム 10週間
商品概要の詳細

ダイオード ショットキー 200V 2A 面実装 SOD-123FL

コピー  
ドキュメントとメディア
データシート MBR2H200SFT3G
RoHS情報 Material Declaration MBR2H200SFT1G
PCN設計/仕様 Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer/Material 5/Apr/2019
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
ダイオードタイプ ショットキー
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大) 200V
電流 - 平均整流(Io) 2A
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大) 940mV @ 2A
速度 高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ 200µA @ 200V
Vr、F印加時の静電容量 -
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース SOD-123F
サプライヤデバイスパッケージ SOD-123FL
動作温度 - ジャンクション -55°C~150°C
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

MBR1H100SFT3G

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

ON Semiconductor

¥51.00000 詳細

SN74LV123ARGYR

IC RTRG MONO MULTVIB DUAL 16VQFN

Texas Instruments

¥67.00000 詳細

SN65HVD1781QDRQ1

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

Texas Instruments

¥633.00000 詳細

ECS-240-18-33Q-DS

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

ECS Inc.

¥126.00000 詳細

MMZ1608B102CTD25

FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

TDK Corporation

¥12.00000 詳細

SM24CANB-02HTG

TVS DIODE 24V 50V SOT23-3

Littelfuse Inc.

¥49.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 MBR2H200SFT1GOSCT