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FQT7N10LTF Nチャンネル 100V 1.7A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-223-4
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1 73.00000 ¥73
10 62.50000 ¥625
25 58.36000 ¥1,459
100 46.70000 ¥4,670
500 36.69200 ¥18,346
1,000 28.35300 ¥28,353

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他の梱包形態
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Digi-Key品番 FQT7N10LTFCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FQT7N10LTF
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
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メーカーの標準リードタイム 47週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 1.7A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-223-4

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FQT7N10L
RoHS情報 Material Declaration FQT7N10LTF
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ QFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.7A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 350ミリオーム @ 850mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 6nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 290pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA
ベース品番 FQT7N10
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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