JPY | USD

FQT1N60CTF-WS Nチャンネル 600V 200mA(Tc) 2.1W(Tc) 面実装 SOT-223-4
価格と調達
13,189 個在庫あり
即日出荷可能
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 82.00000 ¥82
10 69.90000 ¥699
25 65.20000 ¥1,630
100 52.19000 ¥5,219
500 41.00800 ¥20,504
1,000 31.68700 ¥31,687

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FQT1N60CTF-WSTR-ND
  • 最小発注数量: 4,000
  • 在庫数量: 12,000 - 即時
  • 単価: ¥31.98275
  • Digi-Reel®  : FQT1N60CTF-WSDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 13,189 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®

FQT1N60CTF-WS

データシート
Digi-Key品番 FQT1N60CTF-WSCT-ND
コピー  
仕入先

ON Semiconductor

コピー  
メーカー品番 FQT1N60CTF-WS
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
コピー  
商品概要の詳細

Nチャンネル 600V 200mA(Tc) 2.1W(Tc) 面実装 SOT-223-4

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FQT1N60C
RoHS情報 Material Declaration FQT1N60CTF-WS
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
PCN部品番号 Mult Device Part Number Chg 30/May/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ QFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 200mA(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 11.5オーム @ 100mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 6.2nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 170pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.1W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA
ベース品番 FQT1N60
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

BSP135H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Infineon Technologies

¥154.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FQT1N60CTF-WSCT
FQT1N60CTF_WSCT
FQT1N60CTF_WSCT-ND