FQPF630 N-Channel 200V 6.3A(Tc) 38W(Tc) スルーホール TO-220F-3
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25 154.40000 ¥3,860
100 126.85000 ¥12,685
500 104.79000 ¥52,395
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Digi-Key品番 FQPF630OS-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FQPF630
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商品概要 MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
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メーカーの標準リードタイム 2週間
商品概要の詳細

N-Channel 200V 6.3A(Tc) 38W(Tc) スルーホール TO-220F-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FQPF630
RoHS情報 Material Declaration FQPF630
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
EDA/CADモデル FQPF630 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ QFET®
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.3A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 400ミリオーム @ 3.15A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 25nC @ 10V
Vgs(最大) ±25V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 550pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 38W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F-3
パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
ベース品番 FQPF6
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 FQPF630-ND
FQPF630OS