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FQP19N20C Nチャンネル 200V 19A(Tc) 139W(Tc) スルーホール TO-220-3
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数量 単価 金額
1 167.00000 ¥167
10 149.30000 ¥1,493
25 141.76000 ¥3,544
100 106.31000 ¥10,631
250 105.28800 ¥26,322
500 90.10400 ¥45,052
1,000 73.40100 ¥73,401
2,500 72.38800 ¥180,970
5,000 70.86940 ¥354,347

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Digi-Key品番 FQP19N20C-ND
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仕入先

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メーカー品番 FQP19N20C
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商品概要 MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 19A(Tc) 139W(Tc) スルーホール TO-220-3

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ドキュメントとメディア
データシート FQP19N20C, FQPF19N20C
TO220B03 Pkg Drawing
RoHS情報 Material Declaration FQP19N20C
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020
PCNパッケージング Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
HTMLデータシート TO220B03 Pkg Drawing
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ QFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 19A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 170ミリオーム @ 9.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 53nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1080pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 139W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
ベース部品番号 FQP1
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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