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FQD7N10LTM Nチャンネル 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta)、25W(Tc) 面実装 TO-252AA
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1 83.00000 ¥83
10 73.40000 ¥734
25 68.92000 ¥1,723
100 56.24000 ¥5,624
500 44.45800 ¥22,229
1,000 35.56600 ¥35,566

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他の梱包形態
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Digi-Key品番 FQD7N10LTMCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FQD7N10LTM
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
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メーカーの標準リードタイム 37週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta)、25W(Tc) 面実装 TO-252AA

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FQD7N10L
RoHS情報 Material Declaration FQD7N10LTM
PCN設計/仕様 Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev 13/Aug/2020
PCNパッケージング Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ QFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 5.8A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 350ミリオーム @ 2.9A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 6nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 290pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)、25W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
ベース品番 FQD7N10
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FQD7N10LTMCT