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FDS6982AS MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 6.3A、8.6A 900mW 面実装 8-SOIC
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数量 単価 金額
1 101.00000 ¥101
10 87.80000 ¥878
25 83.68000 ¥2,092
100 60.73000 ¥6,073
500 50.74400 ¥25,372
1,000 43.18700 ¥43,187

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDS6982ASTR-ND
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  • 単価: ¥38.46320
  • Digi-Reel®  : FDS6982ASDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 FDS6982ASCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDS6982AS
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
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メーカーの標準リードタイム 22週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 6.3A、8.6A 900mW 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDS6982AS
RoHS情報 Material Declaration FDS6982AS
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 FDSYYY 18/Jun/2018
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®, SyncFET™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.3A、8.6A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 28ミリオーム @ 6.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 15nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 610pF @ 10V
電力 - 最大 900mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
ベース品番 FDS69
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDS6982ASCT