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FDS6630A Nチャンネル 30V 6.5A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
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Digi-Key品番 FDS6630ACT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDS6630A
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
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商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 6.5A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDS6630A
RoHS情報 Material Declaration FDS6630A
PCN生産終息/ EOL Mult Dev EOL 17/Aug/2020
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 生産中止品
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.5A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 38ミリオーム @ 6.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 7nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 460pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 FDS66
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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