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FDS4897C MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 40V 6.2A、4.4A 900mW 面実装 8-SOIC
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数量 単価 金額
1 90.00000 ¥90
10 77.90000 ¥779
25 74.28000 ¥1,857
100 53.91000 ¥5,391
500 45.04800 ¥22,524
1,000 38.33800 ¥38,338

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDS4897CTR-ND
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  • 単価: ¥34.14520
  • Digi-Reel®  : FDS4897CDKR-ND
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 FDS4897CCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDS4897C
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商品概要 MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC
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メーカーの標準リードタイム 16週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 40V 6.2A、4.4A 900mW 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDS4897C
RoHS情報 Material Declaration FDS4897C
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Fab 02/Aug/2020
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.2A、4.4A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 29ミリオーム @ 6.2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 760pF @ 20V
電力 - 最大 900mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
ベース品番 FDS48
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDS4897CCT