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FDS4559 MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 60V 4.5A、3.5A 1W 面実装 8-SOIC
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数量 単価 金額
1 84.00000 ¥84
10 73.20000 ¥732
25 69.84000 ¥1,746
100 50.71000 ¥5,071
500 47.33200 ¥23,666

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDS4559TR-ND
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  • Digi-Reel®  : FDS4559DKR-ND
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Digi-Key品番 FDS4559CT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDS4559
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商品概要 MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A 8SOIC
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メーカーの標準リードタイム 37週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 60V 4.5A、3.5A 1W 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDS4559
RoHS情報 Material Declaration FDS4559
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.5A、3.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 55ミリオーム @ 4.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 18nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 650pF @ 25V
電力 - 最大 1W
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
ベース品番 FDS45
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDS4559CT