FDS2572 Nチャンネル 150V 4.9A(Tc) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
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1 173.00000 ¥173
10 154.90000 ¥1,549
100 120.75000 ¥12,075
500 99.74800 ¥49,874
1,000 83.52200 ¥83,522

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDS2572TR-ND
  • 最小発注数量: 2,500
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  • Digi-Reel®  : FDS2572DKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 0
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 FDS2572CT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 FDS2572
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商品概要 MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
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商品概要の詳細

Nチャンネル 150V 4.9A(Tc) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDS2572 Datasheet
RoHS情報 Material Declaration FDS2572
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 FDSyy Dev Source Add 18/Jul/2018
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
EDA/CADモデル FDS2572 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ UltraFET™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.9A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 47ミリオーム @ 4.9A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 38nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2050pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 FDS25
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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