FDN360P Pチャンネル 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
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1 48.00000 ¥48
10 39.30000 ¥393
100 26.78000 ¥2,678
500 20.08800 ¥10,044
1,000 15.06600 ¥15,066

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDN360PTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
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  • 単価: ¥13.81033
  • カット テープ(CT)  : FDN360PCT-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥48.00000
Digi-Key品番 FDN360PDKR-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 FDN360P
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDN360P
RoHS情報 Material Declaration FDN360P
ハイライト製品 ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET
PCN設計/仕様 Wire Bonding 07/Nov/2008
Mold Compound 08/April/2008
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev 08/Jul/2020
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
PCN部品番号 Orderable Part Number Update 23/Nov/2016
HTMLデータシート FDN360P
EDA/CADモデル FDN360P by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ PowerTrench®
パッケージング Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 80ミリオーム @ 2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 9nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 298pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 FDN360
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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Texas Instruments

¥72.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDN360PDKR
FDN360P_F095DKR
FDN360P_F095DKR-ND