FDMC8327L Nチャンネル 40V 12A(Ta)、14A(Tc) 2.3W(Ta)、30W(Tc) 面実装 8-MLP(3.3x3.3)
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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDMC8327LTR-ND
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Digi-Key品番 FDMC8327LCT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 FDMC8327L
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
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商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 12A(Ta)、14A(Tc) 2.3W(Ta)、30W(Tc) 面実装 8-MLP(3.3x3.3)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDMC8327L
RoHS情報 Material Declaration FDMC8327L
ハイライト製品 ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Capacity Expansion 12/Aug/2020
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
EDA/CADモデル FDMC8327L by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 12A(Ta)、14A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 9.7ミリオーム @ 12A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 26nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1850pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.3W(Ta)、30W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-MLP(3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
ベース品番 FDMC8327
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDMC8327LCT