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FDG6316P MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 12V 700mA 300mW 面実装 SC-88(SC-70-6)
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100 29.75000 ¥2,975
500 22.31600 ¥11,158
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Digi-Key品番 FDG6316PCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDG6316P
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商品概要 MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
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メーカーの標準リードタイム 31週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 12V 700mA 300mW 面実装 SC-88(SC-70-6)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDG6316P
RoHS情報 Material Declaration FDG6316P
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Mold Compound 07/May/2008
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Fab 02/Aug/2020
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
EDA/CADモデル FDG6316P by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2Pチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 700mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 270ミリオーム @ 700mA、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.4nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 146pF @ 6V
電力 - 最大 300mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SC-88(SC-70-6)
ベース品番 FDG6316
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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