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FDC655BN Nチャンネル 30V 6.3A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 SuperSOT™-6
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数量 単価 金額
1 62.00000 ¥62
10 50.10000 ¥501
25 45.80000 ¥1,145
100 34.08000 ¥3,408
500 25.56600 ¥12,783
1,000 19.17400 ¥19,174

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Digi-Key品番 FDC655BNCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDC655BN
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
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メーカーの標準リードタイム 49週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 6.3A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 SuperSOT™-6

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDC655BN
RoHS情報 Material Declaration FDC655BN
PCN設計/仕様 Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Mult Changes 14/Jun/2019
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.3A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 25ミリオーム @ 6.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 15nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 570pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.6W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
ベース品番 FDC655
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDC655BNCT