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FDC6506P MOSFETアレイ 2Pチャンネル(デュアル) 30V 1.8A 700mW 面実装 SuperSOT™-6
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数量 単価 金額
1 73.00000 ¥73
10 63.00000 ¥630
25 58.84000 ¥1,471
100 43.72000 ¥4,372
250 41.53600 ¥10,384
500 34.13800 ¥17,069
1,000 27.74700 ¥27,747

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDC6506PTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 24,000 - 即時
  • 単価: ¥25.30667
  • Digi-Reel®  : FDC6506PDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 24,351 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 FDC6506PCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 FDC6506P
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商品概要 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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メーカーの標準リードタイム 10週間
商品概要の詳細

MOSFETアレイ 2Pチャンネル(デュアル) 30V 1.8A 700mW 面実装 SuperSOT™-6

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ドキュメントとメディア
データシート FDC6506P
RoHS情報 Material Declaration FDC6506P
PCN設計/仕様 Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2Pチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.8A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 170ミリオーム @ 1.8A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 3.5nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 190pF @ 15V
電力 - 最大 700mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDC6506PCT