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FDC637BNZ Nチャンネル 20V 6.2A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 SuperSOT™-6
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1 56.00000 ¥56
10 45.10000 ¥451
25 41.28000 ¥1,032
100 30.71000 ¥3,071
500 23.03200 ¥11,516
1,000 17.27300 ¥17,273

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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 FDC637BNZCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 FDC637BNZ
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
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メーカーの標準リードタイム 27週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 6.2A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 SuperSOT™-6

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDC637BNZ
RoHS情報 Material Declaration FDC637BNZ
PCN設計/仕様 Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Mult Changes 14/Jun/2019
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 24ミリオーム @ 6.2A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 12nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 895pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.6W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
ベース品番 FDC637
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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