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FDC5614P Pチャンネル 60V 3A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 SuperSOT™-6
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数量 単価 金額
1 68.00000 ¥68
10 58.30000 ¥583
25 54.48000 ¥1,362
100 40.46000 ¥4,046
250 38.44000 ¥9,610
500 31.59200 ¥15,796
1,000 25.67900 ¥25,679

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDC5614PTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 48,000 - 即時
  • 単価: ¥24.12233
  • カット テープ(CT)  : FDC5614PCT-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 48,502 - 即時
  • 単価: ¥68.00000
Digi-Key品番 FDC5614PDKR-ND
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仕入先

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メーカー品番 FDC5614P
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商品概要 MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
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メーカーの標準リードタイム 5週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 60V 3A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 SuperSOT™-6

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ドキュメントとメディア
データシート FDC5614P
RoHS情報 Material Declaration FDC5614P
PCN設計/仕様 Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Korea Fab Site Add 3/Jan/2017
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
梱包形態 Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 105ミリオーム @ 3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 24nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 759pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDC5614PDKR