JPY | USD

FDB045AN08A0 Nチャンネル 75V 19A(Ta)、90A(Tc) 310W(Tc) 面実装 D²PAK
価格と調達
0
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 385.00000 ¥385
10 345.70000 ¥3,457
25 326.84000 ¥8,171
100 283.26000 ¥28,326

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : FDB045AN08A0TR-ND
  • 最小発注数量: 800
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥241.13750

FDB045AN08A0

データシート
Digi-Key品番 FDB045AN08A0CT-ND
コピー  
仕入先

ON Semiconductor

コピー  
メーカー品番 FDB045AN08A0
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
コピー  
メーカーの標準リードタイム 46週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 75V 19A(Ta)、90A(Tc) 310W(Tc) 面実装 D²PAK

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDB045AN08A0 Datasheet
RoHS情報 Material Declaration FDB045AN08A0
PCN設計/仕様 Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assem/Test Add 25/Jul/2019
PCNパッケージング TO263 31/Aug/2016
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 75V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 19A(Ta)、90A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4.5ミリオーム @ 80A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 138nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 6600pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 310W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 FDB045
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

MMBD3004S-7-F

DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT23

Diodes Incorporated

¥34.00000 詳細

IXTA36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO263

IXYS

¥541.00000 詳細

VFM-20A

LINE FILTER 75VDC 20A TH

CUI Inc.

¥3,760.00000 詳細

STPS30SM100SG-TR

DIODE SCHOTTKY 100V 30A D2PAK

STMicroelectronics

¥149.00000 詳細

LTC4417HGN#PBF

IC OR CTRLR SRC SELECT 24SSOP

Analog Devices Inc.

¥1,177.00000 詳細

TM4C123GH6PGET

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 144LQFP

Texas Instruments

¥1,721.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDB045AN08A0CT