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数量 単価 金額
1 34.00000 ¥34
10 28.00000 ¥280
100 14.84000 ¥1,484
500 9.76600 ¥4,883
1,000 6.64100 ¥6,641

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BSS123LT1GOSTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥5.98967
  • テープ&リール(TR)  : BSS123LT7G-ND
  • 最小発注数量: 10,500  非在庫保有商品 
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥4.22895
Digi-Key品番 BSS123LT1GOSCT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 BSS123LT1G
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 170mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSS123LT1G, BVSS123LT1G
RoHS情報 Material Declaration BSS123LT1G
PCN設計/仕様 Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Mold Comp Chg 1/Apr/2020
PCNパッケージング New taping option 15/May/2019
EDA/CADモデル BSS123LT1G by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 170mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 6オーム @ 100mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.6V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 20pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 225mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 BSS123
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSS123LT1GOSCT