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2N7002NXAKR Nチャンネル 60V 190mA(Ta)、300mA(Tc) 265mW(Ta)、1.33W(Tc) 面実装 TO-236AB
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数量 単価 金額
1 11.00000 ¥11
10 6.50000 ¥65
25 6.24000 ¥156
100 3.53000 ¥353
500 2.77600 ¥1,388
1,000 1.92800 ¥1,928

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : 1727-8643-2-ND
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2N7002NXAKR

データシート
Digi-Key品番 1727-8643-1-ND
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仕入先

Nexperia USA Inc.

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メーカー品番 2N7002NXAKR
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
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メーカーの標準リードタイム 4週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 190mA(Ta)、300mA(Tc) 265mW(Ta)、1.33W(Tc) 面実装 TO-236AB

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート 2N7002NXAK
PCNパッケージング All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
EDA/CADモデル 2N7002NXAKR by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Nexperia USA Inc.
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 190mA(Ta)、300mA(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4.5オーム @ 100mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 430pC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 20pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 265mW(Ta)、1.33W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 1727-8643-1