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数量 単価 金額
1 707.00000 ¥707
10 606.20000 ¥6,062
25 564.64000 ¥14,116
100 505.19000 ¥50,519
500 445.75200 ¥222,876
1,000 401.17700 ¥401,177
2,500 378.46880 ¥946,172

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IXTH200N10T

データシート
Digi-Key品番 IXTH200N10T-ND
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仕入先

IXYS

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メーカー品番 IXTH200N10T
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 200A TO247
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メーカーの標準リードタイム 39週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 200A(Tc) 550W(Tc) スルーホール TO-247(IXTH)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IXT(H,Q)200N10T
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 IXYS
シリーズ TrenchMV™
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 200A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 5.5ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 152nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 9400pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 550W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247(IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
カリフォルニア州法プロポジション65
また次もご覧下さい

IXTH160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO247

IXYS

¥592.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 30