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数量 単価 金額
1 696.00000 ¥696
10 629.10000 ¥6,291
25 599.80000 ¥14,995
100 497.39000 ¥49,739
250 468.13200 ¥117,033
500 438.87600 ¥219,438
1,000 394.98800 ¥394,988
2,500 380.35840 ¥950,896
5,000 359.87760 ¥1,799,388

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IXTH200N10T

データシート
Digi-Key品番 IXTH200N10T-ND
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仕入先

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メーカー品番 IXTH200N10T
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
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メーカーの標準リードタイム 28週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 200A(Tc) 550W(Tc) スルーホール TO-247(IXTH)

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ドキュメントとメディア
データシート IXT(H,Q)200N10T
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 IXYS
シリーズ TrenchMV™
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 200A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 5.5ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 152nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 9400pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 550W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247(IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
カリフォルニア州法プロポジション65
また次もご覧下さい

IXFH320N10T2

MOSFET N-CH 100V 320A TO-247

IXYS

¥1,348.00000 詳細

FDH055N15A

MOSFET N-CH 150V TO-247-3

ON Semiconductor

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その他のリソース
基準パッケージ 30