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IXTA1N200P3HV Nチャンネル 2000V 1A(Tc) 125W(Tc) 面実装 TO-263(IXTA)
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数量
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数量 単価 金額
1 733.00000 ¥733
10 662.20000 ¥6,622
25 631.36000 ¥15,784
100 523.56000 ¥52,356
250 492.76000 ¥123,190
500 461.96200 ¥230,981
1,000 415.76600 ¥415,766
2,500 400.36760 ¥1,000,919

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IXTA1N200P3HV

データシート
Digi-Key品番 IXTA1N200P3HV-ND
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仕入先

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メーカー品番 IXTA1N200P3HV
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商品概要 MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
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メーカーの標準リードタイム 24週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 2000V 1A(Tc) 125W(Tc) 面実装 TO-263(IXTA)

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ドキュメントとメディア
データシート IXTx1N200P3(HV)
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 IXYS
シリーズ -
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 2000V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 40オーム @ 500mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 23.5nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 646pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-263(IXTA)
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
カリフォルニア州法プロポジション65
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