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SPB17N80C3ATMA1 Nチャンネル 800V 17A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
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1 465.00000 ¥465
10 418.10000 ¥4,181
100 316.27000 ¥31,627
500 281.13200 ¥140,566

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SPB17N80C3ATMA1TR-ND
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  • 単価: ¥233.70800

SPB17N80C3ATMA1

データシート
Digi-Key品番 SPB17N80C3ATMA1CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SPB17N80C3ATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
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メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 800V 17A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2

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ドキュメントとメディア
データシート SPB17N80C3
SPP,SPB,SPA17N80C3
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
PCN部品状況変更 Mult Dev Wafer/MPN Chgs 17/May/2018
シミュレーションモデル CoolMOS™ Power MOSFET 800V C3 Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ CoolMOS™
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 17A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 290ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.9V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 177nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2300pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 227W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

SPB20N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK

Infineon Technologies

¥564.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3INCT-ND
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3XTINCT-ND