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SI4435DYTRPBF Pチャンネル 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO
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数量 単価 金額
1 98.00000 ¥98
10 85.50000 ¥855
25 80.40000 ¥2,010
100 58.34000 ¥5,834
500 48.74800 ¥24,374
1,000 41.48700 ¥41,487

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI4435DYPBFTR-ND
  • 最小発注数量: 4,000
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  • 単価: ¥36.94925
  • Digi-Reel®  : SI4435DYPBFDKR-ND
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  • 単価: Digi-Reel®

SI4435DYTRPBF

データシート
Digi-Key品番 SI4435DYPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 SI4435DYTRPBF
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 39週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI4435DYPbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTMLデータシート SI4435DYPbF
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 20ミリオーム @ 8A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 60nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2320pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *SI4435DYTRPBF
SI4435DYPBFCT