IRLR3110ZTRPBF Nチャンネル 100V 42A(Tc) 140W(Tc) 面実装 D-Pak
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1 239.00000 ¥239
10 214.70000 ¥2,147
100 172.54000 ¥17,254
500 141.76400 ¥70,882
1,000 135.01400 ¥135,014

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRLR3110ZTRPBFTR-ND
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  • テープ&リール(TR)  : IRLR3110ZTRRPBF-ND
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IRLR3110ZTRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLR3110ZTRPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLR3110ZTRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
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商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 42A(Tc) 140W(Tc) 面実装 D-Pak

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLR3110ZPBF Datasheet
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
デザインリソース IRLR3110ZPBF Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021
PCNパッケージング Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRLR3110ZPBF Datasheet
EDA/CADモデル IRLR3110ZTRPBF by Ultra Librarian
シミュレーションモデル IRLR3110ZPBF Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 42A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 14ミリオーム @ 38A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 100µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 48nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±16V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 3980pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 140W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
ベース品番 IRLR3110
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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IRLR3110ZTRLPBF

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onsemi

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DSS60600MZ4-13

TRANS PNP 60V 6A SOT-223

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¥65.00000 詳細

TPS51200DRCR

IC REG CONV DDR 1OUT 10VSON

Texas Instruments

¥108.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IRLR3110ZTRPBFCT