IRLML9303TRPBF Pチャンネル 30V 2.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23
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1 58.00000 ¥58
10 43.20000 ¥432
100 26.96000 ¥2,696
500 18.44800 ¥9,224
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IRLML9303TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLML9303TRPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLML9303TRPBF
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
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商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 2.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLML9303TRPbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
デザインリソース IRLML9303TRPBF Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Assembly Site Addition 13/Mar/2015
PCNパッケージング Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRLML9303TRPbF
EDA/CADモデル IRLML9303TRPBF by Ultra Librarian
シミュレーションモデル IRLML9303TRPBF Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2.3A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 165ミリオーム @ 2.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.4V @ 10µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 160pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.25W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 IRLML9303
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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