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IRLML6346TRPBF Nチャンネル 30V 3.4A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23
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1 57.00000 ¥57
10 42.90000 ¥429
25 38.64000 ¥966
100 26.70000 ¥2,670
500 18.26400 ¥9,132
1,000 14.05000 ¥14,050

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IRLML6346TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLML6346TRPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLML6346TRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
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メーカーの標準リードタイム 52週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 3.4A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLML6346TRPBF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
デザインリソース IRLML6346TRPBF Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNパッケージング Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRLML6346TRPBF
EDA/CADモデル IRLML6346TRPBF by SnapEDA
シミュレーションモデル IRLML6346TRPBF Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3.4A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 63ミリオーム @ 3.4A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.1V @ 10µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.9nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 270pF @ 24V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.3W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 IRLML6346
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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