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IRLML6302TRPBF Pチャンネル 20V 780mA(Ta) 540mW(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23
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10 37.80000 ¥378
25 34.60000 ¥865
100 25.75000 ¥2,575
500 19.31400 ¥9,657
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IRLML6302TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLML6302PBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLML6302TRPBF
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商品概要 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
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商品概要の詳細

Pチャンネル 20V 780mA(Ta) 540mW(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLML6302PbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
デザインリソース IRLML6302TR Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTMLデータシート IRLML6302PbF
EDA/CADモデル IRLML6302TRPBF by Ultra Librarian
シミュレーションモデル IRLML6302 Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 780mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.7V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 600ミリオーム @ 610mA、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 3.6nC @ 4.45V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 97pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 540mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 IRLML6302
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRLML6302TRPBF
IRLML6302GTRPBFCT
IRLML6302GTRPBFCT-ND
IRLML6302PBFCT