IRLML5103TRPBF Pチャンネル 30V 760mA(Ta) 540mW(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23
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1 55.00000 ¥55
10 44.80000 ¥448
100 30.44000 ¥3,044
500 22.83000 ¥11,415
1,000 17.12200 ¥17,122

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRLML5103PBFTR-ND
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IRLML5103TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLML5103PBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLML5103TRPBF
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
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商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 760mA(Ta) 540mW(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLML5103PbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
デザインリソース IRLML5103TR Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
PCNパッケージング Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
HTMLデータシート IRLML5103PbF
EDA/CADモデル IRLML5103TRPBF by SnapEDA
IRLML5103TRPBF by Ultra Librarian
シミュレーションモデル IRLML5103 Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 760mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 600ミリオーム @ 600mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 5.1nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 75pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 540mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 IRLML5103
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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SHT21

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BAT41KFILM

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD523

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¥62.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRLML5103TRPBF
IRLML5103GTRPBFCT
IRLML5103GTRPBFCT-ND
IRLML5103PBFCT