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IRLML2402TRPBF Nチャンネル 20V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23
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1 65.00000 ¥65
10 49.10000 ¥491
25 44.24000 ¥1,106
100 30.58000 ¥3,058
500 20.92200 ¥10,461
1,000 16.09300 ¥16,093

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  • テープ&リール(TR)  : IRLML2402PBFTR-ND
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IRLML2402TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLML2402PBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLML2402TRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
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商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) 面実装 Micro3™/SOT-23

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLML2402PbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
デザインリソース IRLML2402TR Saber Model
Available In the Digi-Key KiCad Library
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTMLデータシート IRLML2402PbF
シミュレーションモデル IRLML2402 Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.7V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 250ミリオーム @ 930mA、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 700mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 3.9nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 110pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 540mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 IRLML2402
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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Texas Instruments

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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRLML2402TRPBF
IRLML2402GTRPBFCT
IRLML2402GTRPBFCT-ND
IRLML2402PBFCT