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IRLL014NTRPBF Nチャンネル 55V 2A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-223
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10 71.10000 ¥711
25 66.88000 ¥1,672
100 54.56000 ¥5,456
500 43.13000 ¥21,565
1,000 34.50400 ¥34,504

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IRLL014NTRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLL014NPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLL014NTRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
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商品概要の詳細

Nチャンネル 55V 2A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-223

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLL014NPbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
デザインリソース IRLL014NTRPBF Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013
Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTMLデータシート IRLL014NPbF
EDA/CADモデル IRLL014NTRPBF by Ultra Librarian
シミュレーションモデル IRLL014N Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 55V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 140ミリオーム @ 2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 14nC @ 10V
Vgs(最大) ±16V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 230pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA
ベース品番 IRLL014
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRLL014NTRPBF
IRLL014NPBFCT