IRLIZ34NPBF Nチャンネル 55V 22A(Tc) 37W(Tc) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
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IRLIZ34NPBF

データシート
Digi-Key品番 IRLIZ34NPBF-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRLIZ34NPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
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商品概要の詳細

Nチャンネル 55V 22A(Tc) 37W(Tc) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRLIZ34NPbF
その他の関連資料 Part Number Guide
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
デザインリソース IRLIZ34N Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 POD Datasheet Rev 28/Apr/2017
Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCNパッケージング Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Tube Label Chgs 20/May/2020
HTMLデータシート IRLIZ34NPbF
EDA/CADモデル IRLIZ34NPBF by Ultra Librarian
シミュレーションモデル IRLIZ34N Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 55V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 22A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 35ミリオーム @ 12A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 25nC @ 5V
Vgs(最大) ±16V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 880pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 37W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220ABフルパッッケージ
パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
ベース品番 IRLIZ34
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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