IRFS3306TRLPBF Nチャンネル 60V 120A(Tc) 230W(Tc) 面実装 D2PAK
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IRFS3306TRLPBF

データシート
Digi-Key品番 IRFS3306TRLPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRFS3306TRLPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
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商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 120A(Tc) 230W(Tc) 面実装 D2PAK

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF(B,S,SL)3306PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
HTMLデータシート IRF(B,S,SL)3306PbF
シミュレーションモデル IRFB3306PBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 120A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4.2ミリオーム @ 75A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 150µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 120nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 4520pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) 230W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 IRFS3306
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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