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IRFR9120NTRPBF P-Channel 100V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
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数量 単価 金額
1 112.00000 ¥112
10 98.70000 ¥987
25 92.76000 ¥2,319
100 75.70000 ¥7,570
500 59.83800 ¥29,919
1,000 49.86600 ¥49,866

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRFR9120NPBFTR-ND
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IRFR9120NTRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRFR9120NPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRFR9120NTRPBF
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商品概要 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
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商品概要の詳細

P-Channel 100V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF(R,U)9120NPbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRF(R,U)9120NPbF
EDA/CADモデル IRFR9120NTRPBF by SnapEDA
シミュレーションモデル IRFR9120NTRPBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 480mOhm @ 3.9A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 27nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 350pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース品番 IRFR9120
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
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IRFR9120NPBFCT