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IRFR4105ZTRPBF Nチャンネル 55V 30A(Tc) 48W(Tc) 面実装 D-Pak
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数量 単価 金額
1 109.00000 ¥109
10 94.10000 ¥941
25 89.80000 ¥2,245
100 65.17000 ¥6,517
500 54.44800 ¥27,224
1,000 46.33800 ¥46,338

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRFR4105ZTRPBFTR-ND
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  • 単価: ¥41.27000

IRFR4105ZTRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRFR4105ZTRPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRFR4105ZTRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
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メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 55V 30A(Tc) 48W(Tc) 面実装 D-Pak

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCNパッケージング Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF
シミュレーションモデル IRFR4105ZPBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 55V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 30A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 24.5ミリオーム @ 18A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 27nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 740pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 48W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

IRFR3504ZTRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Infineon Technologies

¥134.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND
IRFR4105ZTRPBFCT