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IRFP4468PBF Nチャンネル 100V 195A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247AC
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数量 単価 金額
1 688.00000 ¥688
10 621.60000 ¥6,216
25 592.72000 ¥14,818
100 491.49000 ¥49,149
250 462.58400 ¥115,646
500 433.67200 ¥216,836
1,000 390.30400 ¥390,304
2,500 375.84840 ¥939,621

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IRFP4468PBF

データシート
Digi-Key品番 IRFP4468PBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRFP4468PBF
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 195A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247AC

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ドキュメントとメディア
データシート IRFP4468PBF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
デザインリソース IRFP4468PBF Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
PCNアセンブリ/原産地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCNパッケージング Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
シミュレーションモデル IRFP4468PBF Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 195A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.6ミリオーム @ 180A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 540nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 19860pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 520W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 25
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