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IRFI540NPBF Nチャンネル 100V 20A(Tc) 54W(Tc) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
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数量 単価 金額
1 166.00000 ¥166
10 149.00000 ¥1,490
25 141.36000 ¥3,534
100 106.02000 ¥10,602
250 105.00400 ¥26,251
500 89.86000 ¥44,930
1,000 73.20000 ¥73,200
2,500 72.19000 ¥180,475
5,000 65.62740 ¥328,137

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IRFI540NPBF

データシート
Digi-Key品番 IRFI540NPBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRFI540NPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP
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メーカーの標準リードタイム 15週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 20A(Tc) 54W(Tc) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ

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ドキュメントとメディア
データシート IRFI540NPbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
デザインリソース IRFI540NPBF Saber Model
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 POD Datasheet Update 6/Apr/2017
POD Datasheet Rev 28/Apr/2017
PCNアセンブリ/原産地 Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCNパッケージング Tube Label Chgs 20/May/2020
シミュレーションモデル IRFI540NPBF Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 20A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 52ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 94nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1400pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 54W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220ABフルパッッケージ
パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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