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IRFH5020TRPBF Nチャンネル 200V 5.1A(Ta) 3.6W(Ta)、8.3W(Tc) 面実装 8-PQFN(5x6)
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1 219.00000 ¥219
10 197.10000 ¥1,971
25 185.92000 ¥4,648
100 145.01000 ¥14,501
250 141.28400 ¥35,321
500 122.69400 ¥61,347
1,000 104.10300 ¥104,103

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRFH5020TRPBFTR-ND
  • 最小発注数量: 4,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥102.61550
  • Digi-Reel®  : IRFH5020TRPBFDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 1,377 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®

IRFH5020TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRFH5020TRPBFCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRFH5020TRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 5.1A(Ta) 3.6W(Ta)、8.3W(Tc) 面実装 8-PQFN(5x6)

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ドキュメントとメディア
データシート IRFH5020PBF
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
シミュレーションモデル IRFH5020 Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 5.1A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 55ミリオーム @ 7.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5V @ 150µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 54nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2290pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W(Ta)、8.3W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN(5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IRFH5020TRPBFCT