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IRFB4332PBF Nチャンネル 250V 60A(Tc) 390W(Tc) スルーホール TO-220AB
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数量 単価 金額
1 443.00000 ¥443
10 397.20000 ¥3,972
25 375.48000 ¥9,387
100 300.36000 ¥30,036
250 283.68000 ¥70,920
500 266.99000 ¥133,495
1,000 228.61000 ¥228,610
2,500 225.27280 ¥563,182
5,000 205.24840 ¥1,026,242

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IRFB4332PBF

データシート
Digi-Key品番 IRFB4332PBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRFB4332PBF
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商品概要 MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
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メーカーの標準リードタイム 15週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 250V 60A(Tc) 390W(Tc) スルーホール TO-220AB

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ドキュメントとメディア
データシート IRFB4332PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
シミュレーションモデル IRFB4332PBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 60A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 33ミリオーム @ 35A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 150nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 5860pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 390W(Tc)
動作温度 -40°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 50
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