IRF9393TRPBF Pチャンネル 30V 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO
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IRF9393TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF9393TRPBFTR-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRF9393TRPBF
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
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商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF9393PbF
その他の関連資料 Part Number Guide
IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCNパッケージング Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRF9393PbF
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 9.2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V、20V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 13.3ミリオーム @ 9.2A、20V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.4V @ 25µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 38nC @ 10V
Vgs(最大) ±25V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1110pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 IRF9393
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 4,000
その他の製品名/品番 IRF9393TRPBFTR
SP001570644