IRF8714TRPBF N-Channel 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO
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25 70.00000 ¥1,750
100 57.14000 ¥5,714
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IRF8714TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF8714TRPBFDKR-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRF8714TRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
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商品概要の詳細

N-Channel 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF8714PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTMLデータシート IRF8714PbF
シミュレーションモデル IRF8714PBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 14A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 8.7ミリオーム @ 14A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.35V @ 25µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 12nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1020pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 IRF8714
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IRF8714TRPBFDKR