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IRF8707TRPBF Nチャンネル 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO
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10 48.90000 ¥489
25 45.64000 ¥1,141
100 36.51000 ¥3,651
500 28.68200 ¥14,341
1,000 22.16300 ¥22,163

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IRF8707TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF8707TRPBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRF8707TRPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
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商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF8707PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCNパッケージング Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTMLデータシート IRF8707PbF
シミュレーションモデル IRF8707PBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 11A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 11.9ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.35V @ 25µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 9.3nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 760pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 IRF8707
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IRF8707TRPBFCT