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IRF7314TRPBF MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 20V 5.3A 2W 面実装 8-SO
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数量 単価 金額
1 98.00000 ¥98
10 84.70000 ¥847
25 80.80000 ¥2,020
100 58.64000 ¥5,864
500 48.99400 ¥24,497
1,000 41.69600 ¥41,696

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRF7314PBFTR-ND
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  • 単価: ¥37.13575
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IRF7314TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF7314PBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRF7314TRPBF
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商品概要 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 20V 5.3A 2W 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF7314PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
HTMLデータシート IRF7314PbF
EDA/CADモデル IRF7314TRPBF by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2Pチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 5.3A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 58ミリオーム @ 2.9A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 700mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 29nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 780pF @ 15V
電力 - 最大 2W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース品番 IRF7314PBF
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRF7314TRPBF
IRF7314PBFCT