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IRF7303TRPBF MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 4.9A 2W 面実装 8-SO
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数量 単価 金額
1 93.00000 ¥93
10 80.80000 ¥808
25 77.08000 ¥1,927
100 55.95000 ¥5,595
500 46.74800 ¥23,374
1,000 39.78500 ¥39,785

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IRF7303PBFTR-ND
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IRF7303TRPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF7303PBFCT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IRF7303TRPBF
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 4.9A 2W 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IRF7303PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTMLデータシート IRF7303PbF
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.9A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 50ミリオーム @ 2.4A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 25nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 520pF @ 25V
電力 - 最大 2W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース品番 IRF7303PBF
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 *IRF7303TRPBF
IRF7303PBFCT