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IRF640NPBF Nチャンネル 200V 18A(Tc) 150W(Tc) スルーホール TO-220AB
価格と調達
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数量 単価 金額
1 117.00000 ¥117
10 104.70000 ¥1,047
25 99.32000 ¥2,483
100 74.51000 ¥7,451
250 73.80400 ¥18,451
500 63.16200 ¥31,581
1,000 51.45100 ¥51,451
2,500 50.74200 ¥126,855
5,000 46.12880 ¥230,644

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Digi-Key品番 IRF640NPBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRF640NPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
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メーカーの標準リードタイム 15週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 18A(Tc) 150W(Tc) スルーホール TO-220AB

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ドキュメントとメディア
データシート IRF640N(S,L)PbF
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
Tube Label Chgs 20/May/2020
ハイライト製品 Data Processing Systems
その他の関連資料 IR Part Numbering System
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
EDA/CADモデル IRF640NPBF by SnapEDA
HTMLデータシート IRF640N(S,L)PbF
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 18A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 150ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 67nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1160pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 150W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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