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IRF630NPBF Nチャンネル 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) スルーホール TO-220AB
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数量 単価 金額
1 97.00000 ¥97
10 85.80000 ¥858
25 81.40000 ¥2,035
100 61.05000 ¥6,105
250 60.46800 ¥15,117
500 51.74800 ¥25,874
1,000 42.15400 ¥42,154
2,500 41.57280 ¥103,932
5,000 37.79340 ¥188,967

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Digi-Key品番 IRF630NPBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRF630NPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) スルーホール TO-220AB

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ドキュメントとメディア
データシート IRF630N
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
PCNアセンブリ/原産地 TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
PCNパッケージング Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 9.3A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 300ミリオーム @ 5.4A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 35nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 575pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 82W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 *IRF630NPBF
SP001564792