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IRF2807PBF Nチャンネル 75V 82A(Tc) 230W(Tc) スルーホール TO-220AB
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数量 単価 金額
1 185.00000 ¥185
10 165.70000 ¥1,657
25 157.28000 ¥3,932
100 117.94000 ¥11,794
250 116.81600 ¥29,204
500 99.96600 ¥49,983
1,000 81.43400 ¥81,434
2,500 80.31120 ¥200,778
5,000 73.00980 ¥365,049

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Digi-Key品番 IRF2807PBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRF2807PBF
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商品概要 MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
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メーカーの標準リードタイム 15週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 75V 82A(Tc) 230W(Tc) スルーホール TO-220AB

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ドキュメントとメディア
データシート IRF2807PbF
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
シミュレーションモデル IRF2807PBF Saber Model
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
ハイライト製品 Data Processing Systems
その他の関連資料 IR Part Numbering System
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
HTMLデータシート IRF2807PbF
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 75V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 82A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 13ミリオーム @ 43A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 160nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 3820pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 230W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 *IRF2807PBF
SP001550978