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IRF1010EZPBF Nチャンネル 60V 75A(Tc) 140W(Tc) スルーホール TO-220AB
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数量 単価 金額
1 162.00000 ¥162
10 144.70000 ¥1,447
25 137.32000 ¥3,433
100 102.98000 ¥10,298
250 102.00400 ¥25,501
500 87.29200 ¥43,646
1,000 71.10800 ¥71,108
2,500 70.12760 ¥175,319
5,000 63.75240 ¥318,762

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IRF1010EZPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF1010EZPBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRF1010EZPBF
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
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メーカーの標準リードタイム 15週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 75A(Tc) 140W(Tc) スルーホール TO-220AB

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ドキュメントとメディア
データシート IRF1010EZ (S,L) PbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
PCNパッケージング Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
HTMLデータシート IRF1010EZ (S,L) PbF
シミュレーションモデル IRF1010EZ Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 75A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 8.5ミリオーム @ 51A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 100µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 86nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2810pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 140W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 *IRF1010EZPBF
SP001571244